近日，加快推进武汉具有全国影响力的科技创新中心建设暨湖北省科技创新大会在汉举行。会上揭晓了2021年度湖北省科学技术奖励，共授予300项（人）。湖北大学叶葱教授团队存储器成果荣获自然科学奖二等奖，是省属高校在微电子领域中获批的唯一一项自然科学奖。项目成果聚焦下一代存储芯片，攻关集成电路核心键技术，将大力促进湖北省“光芯屏端网”产业发展，服务地方经济的发展需求。

集成电路是国家重大战略需求，也是电子信息产业的基石。存储器在集成电路市场中占有重要份额，是解决集成电路卡脖子难题的关键技术。当前主流的存储技术闪存，在尺寸微缩过程无法有效存储电荷，因而各类新型存储受到科学家们的关注。其中，阻变存储器因具有诸多优点，成为最有潜力取代闪存的技术之一。湖北大学叶葱教授及其团队长期致力于高K栅介质薄膜的可控生长及阻变存储器研究，取得系列突破：一是解决了高K介质薄膜生长过程中，介电性能和界面难以调控的问题；二是原位观测阻变存储器中氧空位的动态演变过程并揭示其阻变机理；三是发展了系列阻变存储材料及性能优化技术，实现高性能低功耗阻变存储器研制。

目前，相关研究已得到国家科技部重点研发计划、国家自然科学基金项目、湖北省杰出青年基金等项目的支持。项目第一完成人湖北大学叶葱教授获得湖北省“杰出青年”基金、湖北省优秀青年骨干人才、湖北省女性科技创新人才、湖北省科协委员、入选湖北省“新世纪高层次人才工程”。相关成果发表在JAP、APL、APEX、JMST与中国科学等半导体器件领域重要期刊上，且被半导体集成电路领域的Simon M. Sze、Cheol Seong Hwang、刘明等院士和国际著名学者引用并重点评述。团队针对高k栅介质薄膜的可控生长以及阻变存储器应用开展的系统研究，为集成电路存储芯片研发提供科学依据和技术支撑。

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